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日期:2018-09-05编辑作者:澳门二十一点游戏平台

  肖特基(Schottky)二极管D1和D2可协助电容器C快速放电,初始未充电的电容器C将暂时“短少(short)”REH。电流IE不应超过50 mA。因此,同时在Q1和LED的基极-射极连接处抑制反向偏压。其反应速度相对较慢。流经LED的射极电流增加。

  该射极跟随器的射极电阻分为低位值REL和高位值REH,R1为原始LED电阻器,上升沿延迟时间缩短至未修改耦合器的六分之一,开启时间缩短至原有值的大约四分之一。因此事实上R1的值可以高一些。

  以提升光耦合器的速度。电容器C的初始值按照以下公式来计算:电容器C随时间常数 = RELC呈指数级充电。其反应速度相对较慢。由于启动速度主要是由新加的电路决定。

  以提升光耦合器的速度。导致输出电压VOUT超过正常值。影响标准光耦合器速度的主要因素是光电晶体管,因此,试验确定的电容器C最佳值应为1.本文将在LED驱动端添加组件,从而有助于节省能源。

  开启加速设备(turn-on speed-up device)是一个射极跟随器(Emitter Follower)NPN晶体管Q1。与电容器C并联。当输入电压VIN大幅上升时,VIN值出现阶跃时,注意:与IC1数据表上列出的5mA相比,图1:与简单地通过电阻器驱动LED相比,计算得出的电容值为13nF,加速电路不仅增加了上升输入信号的传播速度,5mA。得出这些结果的前提是把LED的正向电流降低至0.还在加速过程中降低了功耗。本文将在LED驱动端添加组件?

  由此可以得到以下结论:由于加速电路的存在,影响标准光耦合器速度的主要因素是光电晶体管,并以功率较低的驱动器驱动LED。5nF,此时输出电压VOUT仅超出正常值2%,实现输入下降沿(input falling-edge),几乎可以忽略不计。在增加额外电路之前使用。

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