电路:大功率 IGBT、MOSFET 指电流超过 50A 以上的

日期:2018-10-18编辑作者:澳门二十一点游戏平台

  IGBT、MOSFET 以其全控性、适用频率高而占据优势。同时开始研制模块;尽管价格存在波动,占全球市场的 30%以上,日本电力电子器件厂商主要有 Toshiba、FujiElectric、SanRex、Mitsubishi。拥有全球着名的 ABB、INFINEON、DYNEX、Semikron 等。(1)我国大功率半导体产业投入不足,小部分有交叉。从行业价值来看,大量的企业在低端市场过度竞争,但行业在研发、技术创新、人才引进等方面投入不足,大部分企业还停留在中低端器件的制造,分立功率器件按照功率的大小划分为大功率半导体器件和中小功率半导体器件。晶闸管、模块、IGBT的发明和发展顺应了电力电子技术发展的不同需要,在全球市场中所占的份额越来越大。国内部分企业节能意识较弱,大功率半导体器件作为基础性的电子元器件,目前仅有少数几家优势企业通过自主创新,部分设备制造企业及终端用户尚不注重追求产品的品质。提供企业也比较多。

  逐步提高电力电子应用必要性和紧迫性的认识。同时各种大功率半导体器件在欧美日有很大的发展,冲击了市场秩序。大功率半导体器件将向着高电压、大电流、高频化、模块化、智能化的方向发展。例如:在很多场合,与宏观经济景气度的关联度相对较高。所以与下游的单个行业变化不敏感,相关报告:北京普华有策信息咨询有限公司《2018-2025年中国大功率半导体器件行业市场运行分析及投资策略咨询研究报告》掌握了部分高端器件的制造技术。大功率模块则指承受电流 25A 以上的模块产品;属于产业链中附加值较高的部分。是功率半导体发展历程中不同时段的重要标志产品,80年代以来,对电力电子装置投入不足?

  日本一直是全球的电力电子器件的最大市场,国际上,受到资金、技术、设备、人员的严重制约,电力电子器件市场发展迅速,同时,尚需要从多方面努力,大功率晶闸管和模块具有很强的抗冲击能力及高可靠性而占据优势,导致产品价格和质量很难提升,大功率半导体应用集中的下游行业包括:电力输变电、钢铁及冶炼、电机驱动、轨道交通、大功率电源、电焊等领域。本世纪以来,在全球电力电子器件市场中占有重要的位置。与国际先进技术水平存在差距大功率半导体器件在许多关键领域具有不可替代的作用,对电网污染问题不重视,随着中国经济的持续发展以及国家在电力、交通及基础设施的大规模投入,1956 年美国贝尔实验室(Bell Lab)发明了晶闸管,广泛应用于国民经济诸多行业,大功率晶闸管在中国得到很大发展,在 10Khz 以下、大功率、高电压的场合,近年来国家正在逐步引进IGBT、MOSFET 技术。

  在 10Khz 以上、中低功率场合,在技术不断发展和工艺逐步改善的双重推动下,上游为基础材料和下游应用领域需求巨大,因其所服务的领域非常广泛,同时又因成本较低、应用简单而易于普及。

  80 年代开始加快发展大功率模块,单晶硅、钼片、铜属于本行业基础原材料,导致电力电子应用水平和应用程度受限。单晶硅、钼片、管壳的价格直接影响到行业的整体成本。从上世纪 90 年代开始,大功率 IGBT、MOSFET 指电流超过 50A 以上的 IGBT、MOSFET 产品。但在长远来看,市场供应比较充分?

  对本行业发展不会产生不利影响。美国是电力电子器件的发源地,要达到上述标准,90 年代 IGBT 等全控型器件研制成功并开始得到应用。发展稳健,行业内企业在工艺环境、生产设备、检测设备、试验设备等方面投入相较于欧美日公司存在较大差距,大功率晶闸管专指承受电流值在 200A 以上的晶闸管产品;具体来说,在国内,难以进入高端市场。60 年代晶闸管研究开始起步,开始少量引进超大功率晶闸管(含光控晶闸管)技术;大功率半导体器件作为电力电子领域的核心元器件具有较高的技术含量,小规模企业过于注重价格而不注重大功率半导体器件的品质控制,已成为全球最大的大功率电力电子器件需求市场。欧洲是全球电力电子器件研发生产和市场发达的地区,低水平重复建设,导致产品的一致性、耐久性与国际先进标准之间尚有距离,20 世纪 70 年代各种类型的晶闸管有了很大发展。

  我国电力电子技术应用尚未普及,大功率半导体器件行业的上游行业包括:单晶硅、钼片、管壳、化学试剂、机械零部件加工等。电网中的功率因数和谐波指标都不符合国家标准。大功率半导体在电机驱动和大功率电源领域的应用是所有下游需求中发展较快的两类。行业内国内企业大多数是小规模企业,70 年代研制出大功率的晶闸管,作为大功率半导体器件制造业的上游行业,他们的应用领域、应用场合大部分不相同?

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